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電力技術(shù)

電纜介損儀

時間：2022-09-24

中試控股技術(shù)研究院魯工為您講解：電纜介損儀

中試控股 ? 塑造中國制造的優(yōu)質(zhì)品牌

始于1986年 ? 30多年專業(yè)制造 ? 國家電網(wǎng).南方電網(wǎng).內(nèi)蒙電網(wǎng).入圍合格供應商：ZSDJS-9535 高壓電纜介損測試儀

ZSDJS-9535高壓電纜介損測試儀主要針對大容量和高電壓容性設備，如高壓電機、高壓套管的出廠試驗、高壓電纜等，在采用外部大功率試驗變壓器或串聯(lián)諧振等外部加壓設備加壓的環(huán)境下，進行介損測試。儀器分為手持終端和測試主機兩部分。手持終端與測試主機之間采用2.4G無線通訊方式?？勺稣臃y試和反接法測試，正接法和反接法的電流測量量程均可達到2uA-15A的超寬范圍。外施高壓不同頻率可自適應測量，范圍可達30Hz-300Hz。

介質(zhì)損耗試驗的目的：是通過測量介質(zhì)損耗因數(shù)來判斷設備絕緣性能。

ZSDJS-9535高壓電纜介損測試儀主要針對大容量和高電壓容性設備，如高壓電機，高壓套管的出廠試驗，高壓電纜等，在采用外部大功率試驗變壓器或串聯(lián)諧振等外部加壓設備加壓的環(huán)境下，進行介損測試。儀器分為手持終端和測試主機兩部分。手持終端與測試主機之間采用2.4G無線通訊方式?？勺稣臃y試和反接法測試，正接法和反接法的電流測量量程均可達到2uA-15A的超寬范圍。外施高壓不同頻率可自適應測量，范圍可達30Hz-300Hz。
介質(zhì)損耗試驗的目的是通過測量介質(zhì)損耗因數(shù)來判斷設備絕緣性能。一般使用西林電橋、電流比較型電橋、M型介質(zhì)試驗器等儀器進行試驗。

ZSDJS-9535高壓電纜介損測試儀特點
1、7寸彩色液晶顯示工業(yè)級電容屏
儀器采用高端電容式觸摸7寸彩色液晶顯示屏，超大顯示界面所有操作步驟中文菜單顯示，每一步都清晰明了。
2、超寬電流量程
正接法和反接法電流測量量程都可以達到20uA-15A的超寬范圍，更大電流可定制。
3、超寬頻率范圍
外施高壓頻率可達30Hz-300Hz的超寬范圍，自適應測量。
4、各種高電壓可定制
外施高壓電壓能夠滿足各種高電壓環(huán)境，可根據(jù)用戶需求定制。
5、光纖高壓通訊
測試主機高壓采樣與低壓采樣之間采用工業(yè)級光纖通訊模塊，在兼顧高低壓之間絕緣性能的同時又能最大程度保障測試數(shù)據(jù)的精度。
6、獨立手持操作終端
手持終端與測試主機完全隔離采用2.4G無線通訊，整個測試過程中用戶只需在手持終端上操作即可，最大程度保障操作人員的人身安全。
7、鋰電池供電
手持終端、測試主機低壓端、測試主機高壓端，都采用鋰電池供電，充滿電可連續(xù)工作8小時以上。
8、U盤存儲
本機存儲的數(shù)據(jù)可以通過USB接口保存至U盤中。

ZSDJS-9535高壓電纜介損測試儀工作原理
在交流電壓作用下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當電介質(zhì)上施加交流電壓時，電介質(zhì)中的電壓和電流間成在相角差ψ，ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角，δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測量線路包括一標準回路（Cn）和一被試回路(Cx)，如圖2—1所示。標準回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標準電容器與測量線路組成，被試回路由被試品和測量線路組成。測量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成。通過測量電路分別測得標準回路電流與被試回路電流幅值及其相位差，再由數(shù)字信號處理器運用數(shù)字化實時采集方法，通過矢量運算得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。
三主要技術(shù)參數(shù)
1、使用條件 -15℃∽40℃ RH＜80%
2、標準電容 tgδ: <0.005% Cn: 99.78PF
耐壓電壓: 40KV
3、分辨率介損tgδ: 0.001%
電容量Cx: 0.001pF
頻率f：0.001Hz
4、精度介損△tgδ:±(讀數(shù)*1.0%+0.040%)
電容量△C x :±(讀數(shù)*1.0%+1.00PF)
頻率 △f:±(讀數(shù)*1.0%+0.10Hz)
5、測量范圍介損tgδ 無限制
電流I 20uA ≤ I ≤ 15A
電壓HV 1KV ≤ HV ≤ 40KV
頻率 f 30Hz≤ f ≤ 300Hz
6、手持終端鋰電池 7800mAh鋰電池
7、充電器 DC12.6V 3000mA
8、顯示方式 7寸800*480彩色液晶顯示屏
9操作方式工業(yè)級電容觸摸屏
10、手持終端尺寸(mm) 270(L)×160(W)×65(H)
11、測試主機尺寸(mm) 300(L)×300(W)×600(H)
12、存儲器大小 200 組支持U盤數(shù)據(jù)存儲
13、重量（手持終端） 1.5Kg
14、重量（測試主機） 23Kg

目錄
一、交聯(lián)聚乙烯電纜的介質(zhì)損耗介紹

二、如何確定電纜介質(zhì)損耗的大小？

三、為什么在超低頻0.1Hz電壓下測試電纜介損？

四、超低頻介損測試的原理

五、有哪些超低頻介損測試的設備？

六、0.1Hz超低頻介損測試的方法及步驟

七、超低頻介損測試結(jié)果如何評價？

八、超低頻介損測試中的注意事項

九、待解決的問題

十、參考文獻

一、交聯(lián)聚乙烯電纜的介質(zhì)損耗介紹
現(xiàn)象：電介質(zhì)在外電場作用下，由于介質(zhì)電導和介質(zhì)極化的滯后效應，其內(nèi)部會有發(fā)熱現(xiàn)象，這說明有部分電能已轉(zhuǎn)化為熱能耗散掉，電纜絕緣介質(zhì)（XLPE）也不例外。
定義：電介質(zhì)在電場作用下，在單位時間內(nèi)因發(fā)熱而消耗的能量稱為電介質(zhì)的損耗功率，即介質(zhì)損耗（diclectric loss），簡稱為介損。
作用：介質(zhì)損耗的大小是衡量絕緣介質(zhì)電性能的一個重要指標。介質(zhì)損耗不但消耗了電能，而且使絕緣發(fā)熱引發(fā)熱老化。如果介電損耗較大，甚至會引起介質(zhì)的過熱而絕緣破壞，所以從這種意義上講，介質(zhì)損耗越小越好。
形成機理：按照電介質(zhì)的物理性質(zhì)通常有三種電介質(zhì)損耗形式。
（1）漏導損耗：實際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì)，在外電場的作用下，總有一些帶電粒子會發(fā)生移動而引起微弱的電流，這種微小電流稱為漏導電流，漏導電流流經(jīng)介質(zhì)時使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導損耗”。
對于XLPE電纜，在直流及交流電壓下都存在漏導損耗，通常直流電壓用泄漏電流的大小或絕緣電阻的大小來反映介質(zhì)的這一損耗情況。
（2）極化損耗：在介質(zhì)發(fā)生緩慢極化時（松弛極化、空間電荷極化等），帶電粒子在電場力的影響下因克服熱運動而引起的能量損耗。
對于XLPE電纜，只有在交流電壓下才存在極化損耗，而且隨著交流頻率的增大，極化損耗通常也增大。
（3）局部放電損耗：通常在固態(tài)電介質(zhì)中由于存在氣隙或油隙，當外施電壓達到一定數(shù)值時，氣隙或油隙先放電而產(chǎn)生損耗，這一損耗在交流電壓下要比直流電壓時大的多。
對于XLPE電纜，在直流電壓下，可用泄漏電流的大小來反映電介質(zhì)的損耗，而在交流電壓下，介質(zhì)損耗不能單用泄漏電流來表示，通常用介質(zhì)損耗正切來表示，即在一定的交流電壓下，電纜絕緣所表現(xiàn)出的等效電阻Rg的大小值。
由于交聯(lián)聚乙烯電力電纜不推廣直流耐壓試驗，交流耐壓試驗僅能反映電纜的電介質(zhì)擊穿特性，不能反映電纜的損耗特性，因此有必要對電力電纜進行介損測量。
二、如何確定電纜介質(zhì)損耗的大?。?/span>
1.交聯(lián)聚乙烯電力電纜等效電路
在交流電壓下，電力電纜的等效電路，如圖1。
其中，
L為電纜的等效電感，約為0.1-0.7mH/km，等效值比較小，實際分析時可視為短路；
Rx為電力電纜芯線導體直流電阻，Rx一般較小，對電壓降的影響極小，可忽略不計。
Rg為電纜絕緣等效電阻，正常情況阻值一般很大；
Cg為電纜單相對金屬屏蔽層的等效電容。
實際計算中，可采用圖（b）等效電路。

2.電力電纜等效電路中的電流電壓相量關系
電流電壓相量關系如圖2，假如電纜為純電容電路，則Ir=Ic，在相位上，電流超前電壓90°；而實際上因為電路里的阻性電路Rg對電流產(chǎn)生了影響，電流超前電壓度數(shù)為90°-δ。
3.介質(zhì)損耗角δ
在交變電場作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數(shù)角Φ)的余角(δ)，簡稱介損角。
4.介質(zhì)損耗正切值tgδ：
又稱介質(zhì)損耗因數(shù)，是指介質(zhì)損耗角正切值，簡稱介損角正切。介質(zhì)損耗因數(shù)的定義如下:
總電流可以分解為電容電流Ic和電阻電流IR合成，因此：
這正是損失角δ=(90°-Φ)的正切值。因此現(xiàn)在的數(shù)字化儀器從本質(zhì)上講，是通過測量δ或者Φ得到介損因數(shù)。
即：tanδ=P/Q=UIR/UIC =IR/IC
套入公式：IR=U/Rg，Ic=U/XC，XC=1/ωCg=1/2πfCg
得到：tanδ=XC/Rg=1/ωRgCg=1/2πfRgCg
介質(zhì)損耗因素（tand）是用來描述介質(zhì)材料絕緣性能的重要參數(shù)之一。它直接反映了絕緣介質(zhì)損耗的大小，tand值越小越好。
5.tand與絕緣電阻、電容及頻率的關系
從上述公式看：
（1）tand跟絕緣電阻Rg成反比，絕緣電阻越低，介損值越大。因此，做介損測量時，應在絕緣良好的電纜上進行；如果有接頭進水或受潮引起的電纜整體絕緣下降，勢必會影響介損tanδ的值。(應提前用搖表測量電纜絕緣良好）
（2）跟電容Cg成反比，如果電容值Cg非常小，則介損值tanδ也會非常大，因此由于設備的限制，電纜的電容值至少要＞2nF。（至少60米，否則波形失真)
（3）跟頻率f成反比。