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中試控股技術研究院魯工為您講解：手持終端無線介損試驗系統

中試控股 ? 塑造中國制造的優質品牌

始于1986年 ? 30多年專業制造 ? 國家電網.南方電網.內蒙電網.入圍合格供應商：ZSDJS-9535 高壓電纜介損測試儀

ZSDJS-9535高壓電纜介損測試儀主要針對大容量和高電壓容性設備，如高壓電機、高壓套管的出廠試驗、高壓電纜等，在采用外部大功率試驗變壓器或串聯諧振等外部加壓設備加壓的環境下，進行介損測試。儀器分為手持終端和測試主機兩部分。手持終端與測試主機之間采用2.4G無線通訊方式?？勺稣臃y試和反接法測試，正接法和反接法的電流測量量程均可達到2uA-15A的超寬范圍。外施高壓不同頻率可自適應測量，范圍可達30Hz-300Hz。

介質損耗試驗的目的：是通過測量介質損耗因數來判斷設備絕緣性能。

ZSDJS-9535高壓電纜介損測試儀主要針對大容量和高電壓容性設備，如高壓電機，高壓套管的出廠試驗，高壓電纜等，在采用外部大功率試驗變壓器或串聯諧振等外部加壓設備加壓的環境下，進行介損測試。儀器分為手持終端和測試主機兩部分。手持終端與測試主機之間采用2.4G無線通訊方式。可做正接法測試和反接法測試，正接法和反接法的電流測量量程均可達到2uA-15A的超寬范圍。外施高壓不同頻率可自適應測量，范圍可達30Hz-300Hz。
介質損耗試驗的目的是通過測量介質損耗因數來判斷設備絕緣性能。一般使用西林電橋、電流比較型電橋、M型介質試驗器等儀器進行試驗。

ZSDJS-9535高壓電纜介損測試儀特點
1、7寸彩色液晶顯示工業級電容屏
儀器采用高端電容式觸摸7寸彩色液晶顯示屏，超大顯示界面所有操作步驟中文菜單顯示，每一步都清晰明了。
2、超寬電流量程
正接法和反接法電流測量量程都可以達到20uA-15A的超寬范圍，更大電流可定制。
3、超寬頻率范圍
外施高壓頻率可達30Hz-300Hz的超寬范圍，自適應測量。
4、各種高電壓可定制
外施高壓電壓能夠滿足各種高電壓環境，可根據用戶需求定制。
5、光纖高壓通訊
測試主機高壓采樣與低壓采樣之間采用工業級光纖通訊模塊，在兼顧高低壓之間絕緣性能的同時又能最大程度保障測試數據的精度。
6、獨立手持操作終端
手持終端與測試主機完全隔離采用2.4G無線通訊，整個測試過程中用戶只需在手持終端上操作即可，最大程度保障操作人員的人身安全。
7、鋰電池供電
手持終端、測試主機低壓端、測試主機高壓端，都采用鋰電池供電，充滿電可連續工作8小時以上。
8、U盤存儲
本機存儲的數據可以通過USB接口保存至U盤中。

ZSDJS-9535高壓電纜介損測試儀工作原理
在交流電壓作用下，電介質要消耗部分電能，這部分電能將轉變為熱能產生損耗。這種能量損耗叫做電介質的損耗。當電介質上施加交流電壓時，電介質中的電壓和電流間成在相角差ψ，ψ的余角δ稱為介質損耗角，δ的正切tgδ稱為介質損耗角正切。tgδ值是用來衡量電介質損耗的參數。儀器測量線路包括一標準回路（Cn）和一被試回路(Cx)，如圖2—1所示。標準回路由內置高穩定度標準電容器與測量線路組成，被試回路由被試品和測量線路組成。測量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉換器組成。通過測量電路分別測得標準回路電流與被試回路電流幅值及其相位差，再由數字信號處理器運用數字化實時采集方法，通過矢量運算得出試品的電容值和介質損耗正切值。
三主要技術參數
1、使用條件 -15℃∽40℃ RH＜80%
2、標準電容 tgδ: <0.005% Cn: 99.78PF
耐壓電壓: 40KV
3、分辨率 介損tgδ: 0.001%
電容量Cx: 0.001pF
頻率f：0.001Hz
4、精度 介損△tgδ:±(讀數*1.0%+0.040%)
電容量△C x :±(讀數*1.0%+1.00PF)
頻率 △f:±(讀數*1.0%+0.10Hz)
5、測量范圍 介損tgδ 無限制
電流I 20uA ≤ I ≤ 15A
電壓HV 1KV ≤ HV ≤ 40KV
頻率 f 30Hz≤ f ≤ 300Hz
6、手持終端鋰電池 7800mAh鋰電池
7、充電器 DC12.6V    3000mA
8、顯示方式 7寸800*480彩色液晶顯示屏
9操作方式 工業級電容觸摸屏
10、手持終端尺寸(mm) 270(L)×160(W)×65(H)
11、測試主機尺寸(mm) 300(L)×300(W)×600(H)
12、存儲器大小 200 組 支持U盤數據存儲
13、重量（手持終端） 1.5Kg
14、重量（測試主機） 23Kg

影響因素
絕緣介質的tanδ值除受試品本身的絕緣狀況，結構，介質材料，有無分布性缺陷以及電磁場干擾等影響外（不考慮頻率的影響，是因為外加電壓頻率基本不變），還受到以下因素的影響。
1、溫度的影響
溫度對tanδ的測量影響較大，影響的程度隨試品絕緣材料，結構及本身絕緣狀況的不同而異。一般情況下，tanδ是隨溫度上升而增加的，現場試驗時，設備溫度是變化的，為便于比較，應將不同溫度下測得的tanδ值換算到20℃。
有些絕緣材料在溫度低于某一臨界值時，其tanδ可能隨溫度的降低而上升；而潮濕的材料在0℃以下時水分凍結，tanδ會降低。所以過低溫度下測得的tanδ不能反映真實的絕緣狀況，容易導致錯誤的結論。因此測量tanδ應在不低于5℃時進行。
2、濕度和臟污的影響
tanδ與濕度的關系很大。介質受潮臟污后，表面泄露增大，還會出現夾層極化，因而tanδ將大為增加。為了消除影響，可采用加屏蔽環，即用軟裸銅線緊貼在被試品表面纏繞成屏蔽環，并與電橋的屏蔽連接，使表面泄露電流不經過橋臂直接引回電源。這種方法會改變被試品設備表面電場分布，其測量的tanδ值及Cx值與實際的有誤差。最好將被試品表面清潔，干燥來消除濕度和臟污的影響。
3、試驗電壓的影響
良好絕緣的tanδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內部有缺陷，則其tanδ將隨試驗電壓的升高而明顯增加。
在絕緣良好的情況下，在擊穿電壓以下，隨電壓升高，在有功電流Ir增加的同時，無功電流Ic也成正比的增加，因此tanδ幾乎不隨電壓的升高而增加；
若存在絕緣老化，或內部有分層，裂縫以及其他原因使絕緣中含有氣體時的情況下，氣體的游離電壓較低，當外施電壓高于氣體的游離電壓Uo時，氣體發生游離放電，有功電流Ir增加，損耗增加，tanδ會迅速增大。
4、被試品電容的影響
對電容量較小的設備（如套管，互感器，耦合電容器等），測tanδ能有效地發現局部集中性的和整體分布性的缺陷。但對電容量較大的設備（如大中型變壓器，電力電纜，電力電容器，發電機等），測tanδ只能發現絕緣的整體分布性缺陷。因為局部集中性缺陷所引起的損耗增加只占總損耗的極小部分而被掩蓋，這和被試品電容量有關。因此，當進行現場測試時，能分解試驗的盡量分解試驗，通過減小整體絕緣的體積（即減小被試品的電容量），提高反映局部缺陷的靈敏度。