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中試控股技術研究院魯工為您講解:自動抗干擾介損電橋測試儀(實力名企)
ZSDX-7000高壓介質損耗測試裝置(CVT)
多重保護安全可靠儀器具備輸入電壓波動、高壓電流、輸出短路、電源故障、過壓、過流、溫度等多重保護措施,保證了儀器安全、可靠。
儀器還具備設置接地檢測功能,確保不接地設備不允許操作啟動測試。
高壓介質損耗測試裝置(CVT):測試高壓源由儀器內部的逆變器產生,經變壓器升壓后用于被試品測試。頻率可變為50.0Hz、47.5Hz\52.5Hz、45.0Hz\55.0Hz、60.0Hz、57.5Hz\62.5Hz、55.0Hz\65.0Hz,采用數字陷波技術,避開了工
主要技術參數
緊急停機按鈕及高壓指示燈
ZSDX-7000高壓介質損耗測試裝置是發電廠、變電站等現場或實驗室測試各種高壓電力設備介損正切值及電容量的高精度測試儀器。
儀器為一體化結構,內置介損測試電橋,可變頻調壓電源,升壓變壓器和SF6 高穩定度標準電容器。
介質損耗因數偏大的原因及處理方法:
3)被試品Cx接地回路接觸不良。當被試品Cx接地回路接觸不良時,會使tanδ值偏大,此時應改善被試品接地回路接觸情況。
參考標準:DL/T 962-2005,DL/T 474.3-2018
頻電場對測試的干擾,從根本上解決了強電場干擾下準確測量的難題。同時適用于全部停電后用發電機供電檢測的場合。該儀器配以絕緣油杯加溫控裝置可測試絕緣油介質損耗。
1使用條件 -15℃∽40℃ RH<80%
2抗干擾原理 變頻法
3電 源 AC 220V±10% 允許發電機
4高壓輸出 0.5KV∽10KV 每隔0.1kV
精 度 2%
最大電流 200mA
容 量 2000VA
5 自激電源 AC 0V∽50V/15A 單 頻 50.0HZ、60.0HZ
自動雙變頻
45.0HZ/55.0HZ 47.5HZ/52.5HZ
55.0HZ/65.0HZ 57.5HZ/62.5HZ
6分 辨 率 tgδ: 0.001% Cx: 0.001pF
7精 度 △tgδ:±(讀數*1.0%+0.040%)
△C x :±(讀數*1.0%+1.00PF)
8測量范圍 tgδ 無限制
C x 15pF < Cx < 300nF
10KV Cx < 60 nF
5KV Cx < 150 nF
1KV Cx < 300 nF
CVT測試 Cx < 300 nF
9外型尺寸(主機(mm) 350(L)×270(W)×315(H)
外型尺寸(附件)(mm) 350(L)×270(W)×160(H)
10存儲器大小 200 組 支持U盤數據存儲
11重量(主機) 22.55Kg
重量(附件箱) 5.25Kg
功 能:在儀器測試過程中有高壓輸出時,遇緊急情況需要斷開高壓輸出,即可按下緊急停機按鈕立即從內部切斷高壓輸出;按鈕內置指示燈
作為高壓輸出指示燈。
U盤接口
功 能:可把儀器內部保存的測試數據導入并保存到U盤中。
注 意:數據傳輸過程當中嚴禁拔出U盤,只有當數據傳輸完畢后并且液晶屏上出現拔出U盤的提示后,方可拔出U盤,否則有可能燒毀U盤。
總電源開關
功 能:打開此關,儀器上電進入工作狀態。關閉此開關,也同時關閉儀器內部
所有電源系統,緊急情況應立即關閉此開關并拔掉輸入電源線。
電源輸入插座
功 能:提供儀器工作電源。(AC 220V±10%)
接線方法:使用標準插座與市電或發電機相連接。
注 意:電源插座內部帶有保險管保護裝置,不正常情況下可燒毀保險管保使儀器斷電,保護儀器內部。
試品低壓輸入Cx插座
功 能:正接法時輸入被試品測試信號。
接線方法:插座中心連接黑色信號線芯線;金屬外殼接黑色信號線屏蔽層;正接法時芯線接被試品低壓信號端,若被試品低壓信號端有屏蔽極(
如低壓端的屏蔽環),則可將屏蔽層接于屏蔽極,無屏蔽極時屏蔽層懸空。
注 意:? 在啟動測試的過程中嚴禁拔下插頭,以防被試品電流經人體入地。
? 用標準介損器或標準電容器檢測正接法精度時,應使用全屏蔽插頭 連接介損器或標準電容器,否則暴露的芯線可能受到干擾引起誤差。
? 測試過程中應保證插座中心測試芯線與被試品低壓端零電阻連接,否則可能引起測量結果的數據波動。
? 強干擾下拆除接線時,應在保持電纜接地狀態下斷開連接,以防感應電擊。
觸摸顯示屏
功 能:全觸摸大屏幕(120mm×90mm)中文菜顯示,每一步操作清晰明了。
注 意:液晶屏應避免長時間陽光暴曬,避免重物擠壓和利器劃傷。
接地接線柱
功 能:儀器保護接地。
注 意:儀器內部自帶接地保護裝置,測試中應當保證可靠接入地網。否則儀器將自動產生保護鎖死所有測試選項。
ES自激輸出
功 能:自激輸出,儀器內部為自激輸出變壓器的一端(變壓器另一端已接地),自激法測試CVT介損時連接到CVT的自激線圈(da)上,
dn接地,為CVT提供測量所需高壓電源。
注 意: 因低壓輸出電流大,應采用儀器專用連接線連接到CVT二次繞組并使其接觸良好,選擇正、反接法測量時,此輸出關閉。
打印機
功 能:顯示可打印數據時,將光標移動至“打印”項按確認鍵打印。
注 意:打印機為全自動熱敏打印機,打印紙寬55mm。更換打印紙時請使用熱敏打印機專用打印紙,首先扳起打印機旁邊角,打開打印機蓋板
,然后按順序將打印紙放入打印紙倉內并留少許部分在外面,最后合上打印機蓋板。
功 能:描敘測試接線方式的示意圖。
注 意: 要注意接線方式和操作對應的功能,否則容易損壞儀器。
高壓輸出HV插座
功 能:儀器變頻高壓輸出;檢測反接線試品電流;內部標準電容器的高壓端。
接線方法:插座中心連接紅色高壓線芯線;金屬外殼連接紅色高壓線屏蔽層;正接法時芯線和屏蔽層都可以作加壓線對被試品高壓端加壓;反接
法時只能用芯線對被試品高壓端加壓,若試品高壓端有屏蔽極(如高壓端的屏蔽環),則可將屏蔽層接于屏蔽極,無屏蔽極時屏蔽層懸空。
注 意:? 在啟動測試的過程中此插座帶有高壓有觸電危險,絕對禁止觸碰高壓插座及與之相連的相關設備。
? 用標準介損器或標準電容器檢測正接法精度時,應使用全屏蔽插頭連接介損器或標準電容器,否則暴露的芯線可能受到干擾引起
誤差。
? 測試過程中應保證插座中心紅色高壓線芯線與被試品高 壓端零電阻連接,否則可能引起測量結果的數據波動。
高壓線屏蔽接地端子
安裝位置
功 能:儀器測試時高壓線抗干擾接地。
注 意: 接地線不要靠近高壓接頭,否則會引起高壓放電,出現升壓失敗。測試時請不要關閉接地保護功能,儀器的接地必須可靠。
1瓷套表面受潮。瓷套表面電阻的大小直接影響tanδ的準確度,因為表面電阻與體積電阻并聯在一起,當電橋采用反接法測量時,會使tanδ值偏大。
解決方法是:
1)用電吹風、遠紅外等烘燥表面,或在日光下暴曬。
2)用揮發性強的液體清潔。
3)用憎水性涂料涂于瓷套表面。
2)電場干擾。干擾電流Id在被試品電流Ix的右側,使tanδ測量結果大于實際值,此時應采用試驗電源移相法測量tanδ或使用帶抗干擾功能的介損儀。
(1)母線和變壓器出口CVT。可采用正接線測量。由于該CVT和MOA或MOA、變壓器相連,不拆高壓引線,只拆除變壓器中性點接地引線,MOA及變壓器均可承受施加于CVT上的10kV交流試驗電壓。流經MOA及變壓器的電流由試驗電源提供,不流過電橋本體,故并聯的變壓器,MOA不會對測量產生影響,而強烈的干擾電流又大部分被試驗變壓器旁路掉,因此可得到滿意的結果。
測量C1的介質損耗因數時,測量線CX接在C1末端,由于C1首端及C4末端接地,則對于測點來講,C1與C2、C3、C4的串聯值是并聯的關系。為避免C2、C3、C4對 C1的測量結果造成影響,則應將QS1電橋的屏蔽極接于C2末端,這樣C2兩端電位基本相等,C2中無電流流過,C3、C4中的電流直接由電源通過屏蔽極提供,不流經電橋本體,因而不會對測量C1的介質損耗因數造成影響。表2-72列出了對某條500kV線路CVT的測量結果。
應當指出,采用QS1電橋反接線測量,由于抗干擾能力較差,所以必須采用電源倒相的方法,其2、3、4節仍應用正接線測量。在個別感應電壓過強的CVT上采用感應電壓法更適合,其測量接線,可參考圖2-91。
對于220kV及以上的CVT有的單位將C2底部接地(C1上部已接地)采用QS1電橋反接線法,在C1與C2連接處加壓進行測量,先測出C1與C2并聯的tgδC1+C2,再按正接線法測量C2和tgδ2,根據下述基本公式計算C1和tgδ1
C1=CX-C2
tgδ1=(CX tgδC1+C2-C2 tgδ2)/C1
下節C3的測量可根據A端子的引出與否采用反接線或自激法測量,上節引線不拆對C2、C3的測量沒有影響。
油紙絕緣的介質損耗因數tgδ與溫度的關系取決于油與紙的綜合性能。良好的絕緣油是非極性介質,油的tgδ主要是電導損耗,它歲溫度升高而增大。而紙是極性介質,其tgδ由偶極子的松弛損耗所決定,一般情況下,紙的tgδ在-40~60℃的溫度范圍內隨溫度升高而減小。因此,不含導電雜質和水分的良好油紙絕緣,在此溫度范圍內其tgδ沒有明顯變化,所以可不進行溫度換算。若要換算,也不宜采用充油設備的溫度換算方式,因為其溫度換算系數不符合油紙絕緣的tgδ隨溫度變化的真實情況。表2-64為日本日新電機株式會社目前執行的電流互感器溫度換算系統,與我國電容型設備的tgδ實測結果較為接近,可供溫度換算參考。
當絕緣中殘存有較多水分與雜質時,tgδ與溫度的關系就不同于上述情況,tgδ隨溫度升高明顯增加。如兩臺220kV電流互感器通入50%額定電流,加溫9h,測取通入電流前后tgδ的變化,tgδ初始值為0.53%的一臺無變化,tgδ初始值為0.8%的一臺則上升為1.1%。實際上已屬非良好絕緣(《規程》要求值為不大于0.8%),故tgδ隨溫度上升而增加。因此,當常溫下測得的tgδ較大時,為進一步確認絕緣狀況,應考察高溫下的tgδ變化,若高溫下tgδ明顯增加時,則應認為絕緣存在缺陷。
一般可采用短路法使絕緣溫度升高,并保持一段時間,測量時取消短路電壓,以免影響測量準確性。
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