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中試控股技術研究院魯工為您講解:介損LCR (電容、電阻、電感)測量儀(源頭大企)
ZSDX-7000高壓介質損耗測試裝置(CVT)
多重保護安全可靠儀器具備輸入電壓波動、高壓電流、輸出短路、電源故障、過壓、過流、溫度等多重保護措施,保證了儀器安全、可靠。
儀器還具備設置接地檢測功能,確保不接地設備不允許操作啟動測試。
高壓介質損耗測試裝置(CVT):測試高壓源由儀器內部的逆變器產生,經變壓器升壓后用于被試品測試。頻率可變為50.0Hz、47.5Hz\52.5Hz、45.0Hz\55.0Hz、60.0Hz、57.5Hz\62.5Hz、55.0Hz\65.0Hz,采用數字陷波技術,避開了工
參考接線
主要技術參數
數據管理
ZSDX-7000高壓介質損耗測試裝置是發電廠、變電站等現場或實驗室測試各種高壓電力設備介損正切值及電容量的高精度測試儀器。
儀器為一體化結構,內置介損測試電橋,可變頻調壓電源,升壓變壓器和SF6 高穩定度標準電容器。
介質損耗因數偏大的原因及處理方法:
3)被試品Cx接地回路接觸不良。當被試品Cx接地回路接觸不良時,會使tanδ值偏大,此時應改善被試品接地回路接觸情況。
參考標準:DL/T 962-2005,DL/T 474.3-2018
頻電場對測試的干擾,從根本上解決了強電場干擾下準確測量的難題。同時適用于全部停電后用發電機供電檢測的場合。該儀器配以絕緣油杯加溫控裝置可測試絕緣油介質損耗。
1、正接(具體請參閱相關規程)
(1)、內高壓—內標準—正接法(常規接線)
2、反接法
(1)、內高壓—內標準—反接法(常規接線)
3、CVT測試
(1)、CVT分別測試(普通測試)
(2)、不拆高壓引線測試CVT電容值和介損測量模式:CVT自激法。電壓≤2kV
(3)、反接屏蔽法測量CVT上端C0的電容值和介損測量模式:反接法。電壓≤2kV
?正接法
1.HV用紅色高壓線連試品高壓
2.Cx用黑色測試線連試品低壓
3.黑色測試線的屏蔽層連試品E
?反接法
1.試品高壓接地
2. HV用紅色高壓線連試品低壓
3.紅色高壓線的屏蔽層連試品E
4.Cx懸空
5.桶體已為高壓注意絕緣
注 意:
? 所有附帶儀器主機的接線原理圖,連線主機細線為電纜屏蔽層,粗線為電纜芯線。
? 請使用出廠時配套的測試電纜。儀器測量電纜通用,但本儀器屬于高精密測量儀器,測量時請盡量使用儀器出廠時附帶的測試電纜,否則的話
可能因電纜自身的屬性差異而影響測量結果的精度。
? 具體每個接線插座和端子使用何種電纜連接請參考 “面板說明”。
1使用條件 -15℃∽40℃ RH<80%
2抗干擾原理 變頻法
3電 源 AC 220V±10% 允許發電機
4高壓輸出 0.5KV∽10KV 每隔0.1kV
精 度 2%
最大電流 200mA
容 量 2000VA
5 自激電源 AC 0V∽50V/15A 單 頻 50.0HZ、60.0HZ
自動雙變頻
45.0HZ/55.0HZ 47.5HZ/52.5HZ
55.0HZ/65.0HZ 57.5HZ/62.5HZ
6分 辨 率 tgδ: 0.001% Cx: 0.001pF
7精 度 △tgδ:±(讀數*1.0%+0.040%)
△C x :±(讀數*1.0%+1.00PF)
8測量范圍 tgδ 無限制
C x 15pF < Cx < 300nF
10KV Cx < 60 nF
5KV Cx < 150 nF
1KV Cx < 300 nF
CVT測試 Cx < 300 nF
9外型尺寸(主機(mm) 350(L)×270(W)×315(H)
外型尺寸(附件)(mm) 350(L)×270(W)×160(H)
10存儲器大小 200 組 支持U盤數據存儲
11重量(主機) 22.55Kg
重量(附件箱) 5.25Kg
在主菜單點擊“數據管理”進入數據管理界面,點擊“數據查詢”進入數據存放菜單后,按上、下鍵移動光標至想要
查看的數據項目上,(儀器所保存的數據均是按照測量時間的先后所排列的,第000個數據即最新數據,第199個數據即最老數據。)再點擊相應
的數據,進入數據打印項目,在此菜單里面可以按上,下鍵翻頁至相應的數據序號上,可對數據進行打印操作。
點擊“U盤備份”進入數據拷貝界面后,按照提示插入U盤,數據會自動拷貝存儲到U盤,拷貝完成會提示用戶拔出U盤
參數設置
時間設置:打開儀器后直接點擊“參數設置”進入時間設置界面。進入時間菜單后,點擊想要修改的時間數據項
目上,然后再按增加、減小鍵調整相應的“時” 、“分” 、“秒” ,最后點擊保存修改時間設置,點擊取消退出設置并返回主界面。 如果接
地檢測設置“開”,儀器沒有接地或者沒有接好,液晶屏左下角會顯示“接地錯誤…”,并且,光標會閃爍,測試的菜單就進不去,以免操作人
員啟動測試,有觸電危險。因此,一般不建議用戶把接地檢測設置為“關”,默認是打開檢測的。
所有圖片并非實物的全部描敘,請以實際儀器界面為主,僅做參考。
所有步驟在設置不當或想再次改變的情況下,均可按取消鍵返回上一步驟,如果按取消鍵不能實現返回。則可以直接按復位鍵退到主菜單重新開
始設置。
1瓷套表面受潮。瓷套表面電阻的大小直接影響tanδ的準確度,因為表面電阻與體積電阻并聯在一起,當電橋采用反接法測量時,會使tanδ值偏大。
解決方法是:
1)用電吹風、遠紅外等烘燥表面,或在日光下暴曬。
2)用揮發性強的液體清潔。
3)用憎水性涂料涂于瓷套表面。
2)電場干擾。干擾電流Id在被試品電流Ix的右側,使tanδ測量結果大于實際值,此時應采用試驗電源移相法測量tanδ或使用帶抗干擾功能的介損儀。
根據Q/CSG 10007-2004,要求測量一次對末電屏(一次繞組Li L2短路加壓,末電屏接介質損耗電橋Cx線,二次繞組短路與鐵芯等接地,即QSi型電橋正接線)或~次對末電屏,二次繞組(短路)及地(QS,型電橋反接線)的tgδ。現場試驗表明,按上述兩種接線測量tgδ時,對發現互感器進水受潮缺陷并不靈敏。
如能增加測量末電屏對二次繞組、鐵芯與外殼(地)的介質損耗因數tgδ,對發現進水受潮缺陷就比較有效。現場測量時,可分別測量末電屏對二次繞組、末電屏對鐵芯、來電屏對地等各部分的絕緣電阻與介質損耗因數。測量時一次繞組Li與L。端子短接后接于Qsi型西林電橋屏蔽線E。這樣既可避免一次繞組對末電屏間絕緣電容量較大而介質損耗因數較小,被并聯側引起的測量值偏小,還可起到屏蔽外電場干擾作用。測量時按os,型電橋反接線,試驗電壓2kV。盡管試驗電壓較低,但由于被試部分電容量較大(約為1200N2500pF),因此仍能滿足測量靈敏度與準確度的要求。
字形結構電流互感器介質損耗因數測量
目前,電力系統中運行著大量的35~110kV 8字形結構電流互感器。這種互感器運行中存在一個主要的問題是:由于頂部密封不良而進水受潮。因此正確測量電流互感器一次對二次及外殼的介質損耗因數對監視絕緣是否受潮或劣化非常重要。
具體測量方法既可按os,型電橋正接線測量一次對二次繞組的tgδ,也可按oS.型電橋反接線測量,由于運行中互感器外殼已妥善接地,因此一般使用osi型電橋的反接線進行測量(即一次短接電橋C。線,二次短接外殼或地)。曾用此法測得一臺llOkV電流互感器,其一次對二次及外殼的tgδ為2.1%(20℃時),符合試驗標準要求。但在進行真空干燥處理時,明顯地發現內部存有水珠。這就表明,按此方法測量介質損耗因數對發現互感器進水受潮尚不可靠。
介質損耗角正切(tanδ)檢測
tanδ是在交流電壓下,絕緣介質中的有功電流Ir與無功電流IC的比值,即
在生產過程中,材料質量不合格或工藝不良,都會導致tanδ過大。在運行中,由于絕緣受潮、老化,tanδ會急劇增大,使絕緣溫度升高,甚至引起熱擊穿。因此tanδ試驗是一個很重要的試驗項目。
1 試驗方法
目前普遍使用高壓西林電橋,其原理如圖高壓西林電橋原理圖所示。
電橋平衡條件是
Z x Z 4=ZNZ3
電橋調平衡后
測量介質損耗時,電橋有兩種接線方式:正接法和反接法。正接法適用于試品不接地的情況;反接法適用于試品一端接地的場合。反接法時,橋體處于高電位,要求用絕緣手柄操作,或者將電橋和人員置于對地絕緣的屏蔽籠內。
2 保護電壓
圖寄生電容影響電橋回路中a、b兩點對高壓引線和對地都有寄生電容Cau、Cbu和Cav、Cbv,這會引起干擾電流,影響橋臂電流I1=I3,I2=I4的平衡條件,造成測量誤差。實際電橋中,橋體和引線裝有屏蔽,消除了Cau、Cbu的影響,增大了a、b兩點對地電容。在橋下結點v與地之間引入一幅值、相位可調的保護電壓E,迫使a、b兩點都處在地電位,可消除Ia0和Ib0的影響。常用的保護電壓接法如圖單屏蔽保護電壓接線圖所示。也可用雙屏蔽接法,如圖雙屏蔽接線所示。
雙屏蔽接線效果好,但要求電橋、標準電容器及引線都為雙屏蔽結構。
如果電橋額定電壓較低,而需要用于較高電壓的試驗時,原保護電壓幅值可能不夠,電橋將失調。改進方法之一,是把電阻R4減小(如10000/πΩ改為1000/πΩ)。
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